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更新日期2020-09-07 15:19
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上海伯東代理美國(guó)考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 霍爾離子源 eH 2000 特別適合大中型真空系統(tǒng), 帶有水冷方式, 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流. 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體
伯東 KRI 霍爾離子源 eH 2000 特性：
1.水冷 - 與 KRI 霍爾離子源 eh 1000 對(duì)比, 提供更高的離子輸出電流
2.可拆卸陽(yáng)極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí), 最大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽(yáng)極
3.寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
4.多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便
5.高效的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制
伯東 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列在售型號(hào)及技術(shù)參數(shù):
|
離子源型號(hào)
|
霍爾離子源
eH2000 |
|
Cathode/Neutralizer |
F or HC |
|
電壓 |
50-300V |
|
電流 |
10A |
|
散射角度 |
>45 |
| 可充其他 | Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others |
|
氣體流量 |
2-75sccm |
|
高度 |
4.0“ |
|
直徑 |
5.7“ |
|
水冷 |
是 美國(guó) KRI 霍爾離子源 eH 2000 應(yīng)用領(lǐng)域：伯東 KRI 霍爾離子源 eH2000 應(yīng)用領(lǐng)域： 1. 離子輔助鍍膜 IAD 2. 預(yù)清洗 Load lock preclean 3. 預(yù)清洗 In-situ preclean 4. Direct Deposition 5. Surface Modification 6. Low-energy etching 7. III-V Semiconductors 8. Polymer Substrates |
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