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更新日期2020-09-07 15:19
品牌: |
未填 |
所在地: |
廣東 深圳市 |
起訂: |
未填 |
供貨總量: |
未填 |
有效期至: |
長期有效 |
上海伯東代理美國考夫曼博士設立的考夫曼公司 KRI 射頻離子源, 離子束可聚焦, 平行, 散射.
離子束流: >100 mA~1500mA; 離子動能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000.
采用射頻技術產生離子, 無需電離燈絲, 工藝時間更長, 更適合時間長的工藝要求. 提供高密度離子束, 滿足高工藝需求.
離子源采用模塊化設計, 方便清潔/ 保養/ 維修/ 安裝
射頻離子源 RFICP 系列技術參數:
型號 |
RFICP 40 |
RFICP 100 |
RFICP 140 |
RFICP 220 |
RFICP 380 |
Discharge |
RFICP 射頻 |
RFICP 射頻 |
RFICP 射頻 |
RFICP 射頻 |
RFICP 射頻 |
離子束流 |
>100 mA |
>350 mA |
>600 mA |
>800 mA |
>1500 mA |
離子動能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
柵極直徑 |
4 cm Φ |
10 cm Φ |
14 cm Φ |
20 cm Φ |
30 cm Φ |
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
|||
流量 |
3-10 sccm |
5-30 sccm |
5-30 sccm |
10-40 sccm |
15-50 sccm |
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
||||
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
長度 |
12.7 cm |
23.5 cm |
24.6 cm |
30 cm |
39 cm |
直徑 |
13.5 cm |
19.1 cm |
24.6 cm |
41 cm |
59 cm |
中和器 |
LFN 2000 |
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP系列離子源應用:
1. 離子輔助鍍膜 IBAD( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )
2. 離子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )
3. 表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )
4. 離子濺鍍IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)
5. 離子蝕刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)
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